Obiekt

Tytuł: Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN ; Analysis and research of high frequency class DE inverters with SiC and GaN MOSFET transistors

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2020-03-04

Data dodania obiektu:

2019-07-30

Liczba wyświetleń treści obiektu:

5

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://delibra.bg.polsl.pl/publication/63126

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Obiekty

Podobne

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji