Obiekt

Tytuł: Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN ; Analysis and research of high frequency class DE inverters with SiC and GaN MOSFET transistors

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

24 wrz 2021

Data dodania obiektu:

30 lip 2019

Liczba wyświetleń treści obiektu:

78

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://delibra.bg.polsl.pl/publication/63127

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Obiekty Podobne

×

Cytowanie

Styl cytowania:

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji